一种MEMS传感器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811266759.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111099556A | 公开（公告）日 | 2020-05-05 |
| 申请公布号 | CN111099556A | 申请公布日 | 2020-05-05 |
| 分类号 | B81C3/00;B81C1/00;B81B7/02 | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 阮盛杰 | 申请（专利权）人 | 上海途擎微电子有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市威世博知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 上海途擎微电子有限公司 |
| 地址 | 200120 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种MEMS传感器及其制备方法，其中，MEMS传感器的制备方法包括：制备器件层的压电电阻与金属线，并预释放质量块与悬臂梁；制备上盖板并将所述上盖板与上述所述器件层键合；释放所述质量块及所述悬臂梁；制备下盖板并将所述下盖板与所述器件层键合，制得所述MEMS传感器。通过上述方式，本发明的MEMS传感器能够有效降低零点输出。 |
