一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路
基本信息
| 申请号 | CN201922344339.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210745009U | 公开（公告）日 | 2020-06-12 |
| 申请公布号 | CN210745009U | 申请公布日 | 2020-06-12 |
| 分类号 | H02M1/088(2006.01)I;H02M3/335(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 张建华;许峰 | 申请（专利权）人 | 青岛元通电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京青松知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 青岛元通电子有限公司 |
| 地址 | 266000山东省青岛市市北区驼峰路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路，其包括并联MOS管单元、采样电路单元、比较电路单元、PNP型三极管和控制单元，并联MOS单元经采样电路单元、比较电路单元与PNP型三极管的基极相连接，控制单元的输出端与PNP型三极管的发射极相连接，其中，并联MOS单元包括并联的第一MOS管和第二MOS管，第一MOS管的栅极与PNP型三极管的发射极相连接，第二MOS管的栅极与PNP型三极管的集电极相连接。本反激拓扑初级侧开关MOS管并联自适应调整电路，能够在使用两个或多个MOS管并联，实现较高变换功率的基础上，显著降低电源轻载或者空载待机功耗。 |
