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IBC电池结构

基本信息

申请号	CN201720255069.8	申请日	-
公开（公告）号	CN206602118U	公开（公告）日	2017-10-31
申请公布号	CN206602118U	申请公布日	2017-10-31
分类号	H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	许永曼;鄢进波;倪夜光	申请（专利权）人	上海山晟太阳能科技有限公司
代理机构	北京律智知识产权代理有限公司	代理人	上海山晟太阳能科技有限公司
地址	201300 上海市浦东新区沪南公路8666号智城20号楼
法律状态	-

摘要

本实用新型提出一种IBC电池结构，其包括上表面减反层、上表面钝化层、上表面n+扩散层、基体、PN结扩散层、背面钝化层以及正电极和负电极，基体为N型黑硅基体；PN结扩散层设于N型黑硅基体下表面，包括成梳状平行交错排列的n+扩散区域和p+扩散区域；背面钝化层位于n+扩散区域和p+扩散区域的下表面，且背面钝化层为SiNx膜；正电极和负电极成梳状平行交错分布于背面钝化层的下表面，正电极与p+扩散区域相连接，负电极与n+扩散区域相连接。由于采用了N型黑硅基体，其电池表面几乎无反射，在较宽的光谱范围内具有优异的吸光性能，可以明显提高光电转换效率，在电池背面采用SiNx膜作为背面钝化层，简化了电池结构和制作工艺步骤，显著地降低了生产成本。