三维堆叠存储芯片模块
基本信息
| 申请号 | CN202120261199.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214176036U | 公开（公告）日 | 2021-09-10 |
| 申请公布号 | CN214176036U | 申请公布日 | 2021-09-10 |
| 分类号 | H01L25/18（2006.01）I;H01L23/528（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李晓骏;任奇伟;王嵩 | 申请（专利权）人 | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京众达德权知识产权代理有限公司 | 代理人 | 吴莹 |
| 地址 | 710075陕西省西安市高新区丈八街办高新六路38号A座4楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请实施例通过提供一种三维堆叠存储芯片模块，解决了现有存储芯片寄生电阻电容大、使用硅通孔技术而带来的制造成本高、RC延迟大，功耗大，散热差的问题。上述三维堆叠存储芯片模块，包括相互堆叠的存储部分和控制部分，上述存储部分与上述控制部分通过混合键合方式相连接。其中，所述混合键合方式为通过金属导体连接孔使所述存储部分的连接焊盘和所述控制部分的连接焊盘相连接，所述存储部分包括两个或三个以上的存储部分芯片，和/或，所述控制部分包括两个或三个以上的控制部分芯片。 |
