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一种三维集成电路器件结构及其制备方法

基本信息

申请号	CN201510226919.7	申请日	-
公开（公告）号	CN104952795A	公开（公告）日	2015-09-30
申请公布号	CN104952795A	申请公布日	2015-09-30
分类号	H01L21/822(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	郭昌松	申请（专利权）人	深圳市海泰康微电子有限公司
代理机构	深圳市恒申知识产权事务所（普通合伙）	代理人	陈健
地址	518000 广东省深圳市南山区朗山路16号华瀚科技大厦C座502室
法律状态	-

摘要

本发明适用于集成电路制备领域，提供了一种三维集成电路的制备方法，包括：A，提供底层；B，在底层形成一非晶形半导体层，并进行金属诱导侧面晶体化处理，并据此制作第一电子电路元件层；C，在第i电子电路元件层上形成一钝化氧化层，在钝化氧化层上制作第i+1电子电路元件层；其中，i为自然数且初始值为1；D，将第i+1电子电路元件层中的每一电子电路元件电连接至之前形成的所有电子电路元件层的相应电子电路元件；E，以i的步长为1的方式重复执行B至D，直至制作出目标层数的集成电路。本发明能够简单灵活的在任何已经存在的结构上制作电子电路元器件，还可以制造无数层电路元器件的3D结构，还可以解决多晶硅薄膜晶体管较差性能的问题。