用于高频电路设计的LDMOS晶体管及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510224612.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104966734A | 公开（公告）日 | 2015-10-07 |
| 申请公布号 | CN104966734A | 申请公布日 | 2015-10-07 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郭昌松 | 申请（专利权）人 | 深圳市海泰康微电子有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市恒申知识产权事务所（普通合伙） | 代理人 | 深圳市海泰康微电子有限公司 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区朗山路16号华瀚科技大厦C座502室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明适用于半导体器件领域，提供了一种用于高频电路设计的LDMOS晶体管及其制备方法，该晶体管具有BNL-PSOI-LDMOS的结构。本发明同时引入部分绝缘层上硅PSOI和N型硅埋层(Buried?N-type?Layer，BNL)两种结构，使得高压LDMOS器件硅膜层容纳载流子的能力更强，从而使得电流增大，导致器件的导通电阻(On-resistance，Ron)降低；另一方面，N型硅埋层可以向漏区下方的埋氧层中引入更多的电场，从而提高器件的耐压能力，同时由于PSOI引入的硅窗口，使得衬底层也可以分担部分电压，可以进一步提高器件的耐压能力，从而晶体管的击穿电压(Breakdown?Voltage，BV)最高。因此，本发明为高压SOI-LDMOS进一步的性能优化，以及高压集成电路设计提供了一个新的选择。 |
