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用于高密度集成电路设计的半导体器件及其制备方法

基本信息

申请号 CN201510226989.2 申请日 -
公开（公告）号 CN104916587A 公开（公告）日 2015-09-16
申请公布号 CN104916587A 申请公布日 2015-09-16
分类号 H01L21/8232(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 郭昌松 申请（专利权）人 深圳市海泰康微电子有限公司
代理机构 深圳市恒申知识产权事务所（普通合伙） 代理人 陈健
地址 518000 广东省深圳市南山区朗山路16号华瀚科技大厦C座502室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种用于高密度集成电路设计的半导体器件及其制备方法。本发明在多层半导体层上刻蚀多层鳍结构。该多层鳍结构包括至少两个半导体层；各半导体层之间通过第二绝缘层隔离，各半导体层包括源区、漏区及沟道区。最后在多层鳍结构表面形成栅极层。多层鳍结构中的每个半导体层的源区、漏区及沟道区与该多层鳍结构表面的栅极层都将形成一个鳍式场效应晶体管，从而形成多个垂直堆叠且共享该栅极层的鳍式场效应晶体管。该半导体器件具有3D结构，且具有与传统的平面场效应晶体管类似的版图和构造，易于与传统的平面场效应晶体管制造工艺集成，可用于实现高度集成和紧凑的3D电路，为高性能、等比例缩小能力强的3D集成电路提供了基石。