硅衬底上以三族氮化物为主材的半导体晶体生长方法及器件专利查询专利号|摘要-满商公司网

硅衬底上以三族氮化物为主材的半导体晶体生长方法及器件

基本信息

申请号	CN200710021000.X	申请日	-
公开（公告）号	CN101075556A	公开（公告）日	2007-11-21
申请公布号	CN101075556A	申请公布日	2007-11-21
分类号	H01L21/205(2006.01);C30B25/18(2006.01);C30B29/38(2006.01)	分类	基本电气元件;
发明人	张雄	申请（专利权）人	无锡蓝星电子有限公司
代理机构	无锡市大为专利商标事务所	代理人	无锡蓝星电子有限公司
地址	214043江苏省无锡市兴源北路401号
法律状态	-

摘要

硅衬底上以三族氮化物为主材的半导体晶体生长方法及器件，属于半导体材料及器件技术领域。本发明是关于一种生长在复合中间层表面的三族氮化物半导体的方法及制作相关器件。所述的复合中间层是由在(111)面硅衬底上形成的一层二硼化锆(ZrB₂)薄膜，和与二硼化锆晶格匹配的氮化铝镓(Al_0.26Ga_0.74N)层，及以氮化铝镓(Al_xGa_1－xN，0≤x≤1)为主材的单层或多层缓冲层组合而成。此种能够抑制外延层和衬底晶格不匹配造成的晶体缺陷产生及位错迁移的复合中间层，可生长在部分或全部(111)面硅衬底表面。接着，在此复合中间层上即可生长高质量的单层或多层三族氮化物薄膜，三族氮化物薄膜可以被搀杂成n－型或p－型半导体，以形成p－n结，从而制备各种光电子元器件。