一种多芯片瞬态电压抑制器及用于双信号线任意极瞬态电压或ESD放电抑制方法
基本信息
| 申请号 | CN201410287626.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104051446B | 公开（公告）日 | 2017-06-23 |
| 申请公布号 | CN104051446B | 申请公布日 | 2017-06-23 |
| 分类号 | H01L25/07;H01L23/495;H01L23/31;H02H9/04 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 谢可勋;西里奥艾珀里亚科夫 | 申请（专利权）人 | 浙江美晶科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 湖州金卫知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 赵卫康 |
| 地址 | 232000 安徽省淮南市经济开发区（建设路东侧） | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种多芯片瞬态电压抑制器及用于双信号线任意极瞬态电压或ESD放电抑制方法，属于低电压设备保护技术领域。本发明多芯片瞬态电压抑制器，包括两对电极性反向并联的宽禁带二极管及窄禁带二极管，以背靠背方式串联，经由键合引线及引线框架电连接在一起并封装在一封装体内；以及一种用于双信号线任意极瞬态电压或ESD放电抑制方法，将上述抑制器共模连接于信号线上，可实现双向保护。 |
