一种不需要外置Boost电容的highside高压NMOS驱动电路
基本信息
| 申请号 | CN202023145428.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215452774U | 公开（公告）日 | 2022-01-07 |
| 申请公布号 | CN215452774U | 申请公布日 | 2022-01-07 |
| 分类号 | H02M1/08（2006.01）I | 分类 | 发电、变电或配电; |
| 发明人 | 边疆;张适;郭毅 | 申请（专利权）人 | 拓尔微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 西北工业大学专利中心 | 代理人 | 金凤 |
| 地址 | 710000 陕西省西安市高新区科技二路72号西安软件园零壹广场B201 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种不需要外置Boost电容的high side高压NMOS驱动电路，通过时钟信号处理电路、电荷泵电路、高压NMOS驱动电路设计，可以在不需要外置Boost电容的条件下，利用电荷泵连续抬高栅极驱动电压，产生驱动高压NMOS的驱动电压，并且可以根据实际需要，改变时钟信号的频率来改变功率管栅极电压抬高的速度，改变其导通的速度，在时钟信号高电平或低电平时对两个不同的电容充电，增大了抬高栅极电压的速度，提高了驱动效率，减少了由于电容充放电产生的能量损耗。 |
