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基准电压产生电路和振荡器

基本信息

申请号 CN202120751339.0 申请日 -
公开（公告）号 CN214846435U 公开（公告）日 2021-11-23
申请公布号 CN214846435U 申请公布日 2021-11-23
分类号 G05F3/20（2006.01）I;G05F3/30（2006.01）I 分类 控制；调节;
发明人 王红义;陈帅谦 申请（专利权）人 拓尔微电子股份有限公司
代理机构 深圳中一联合知识产权代理有限公司 代理人 赵倩
地址 710000 陕西省西安市高新区科技二路72号西安软件园零壹广场B201
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供一种基准电压产生电路和振荡器，其中，基准电压产生电路包括：级联的多个N沟道耗尽型MOS管，其中：对于任意相邻的两级N沟道耗尽型MOS管，前一级N沟道耗尽型MOS管的栅极与后一级N沟道耗尽型MOS管的源极连接，前一级N沟道耗尽型MOS管的源极与后一级N沟道耗尽型MOS管的漏极连接；第一级N沟道耗尽型MOS管的漏极用于连接电流源，第一级N沟道耗尽型MOS管的源极用于输出基准电压；最后一级N沟道耗尽型MOS管的栅极接地，最后一级N沟道耗尽型MOS管的源极通过限流电阻接地。本申请提供的技术方案，采用级联的N沟道耗尽型MOS管产生基准电压，可以有效的减小电路面积，降低电路成本。