一种射频感应耦合线性离子源
基本信息
| 申请号 | CN201811616746.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111385953A | 公开（公告）日 | 2020-07-07 |
| 申请公布号 | CN111385953A | 申请公布日 | 2020-07-07 |
| 分类号 | H05H1/03(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 陈庆川;聂军伟;黄琪;石连天 | 申请（专利权）人 | 中核同创（成都）科技有限公司 |
| 代理机构 | 核工业专利中心 | 代理人 | 高安娜 |
| 地址 | 610041四川省成都市双流西南航空港黄荆路5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于离子束控制技术领域，具体涉及一种射频感应耦合线性离子源，包括离子源屏蔽外壳、射频耦合天线、用于传输射频功率并隔离放电室和天线室的电介质耦合窗、用于容纳放电等离子体的等离子体放电室侧壁、用于从等离子体放电室中抽取离子束的多栅极离子束引出系统、向放电室内提供初始电子和向离子束及基材中提供中和电子的射频中和器；它能在较大尺寸范围内产生高均匀性大面积窄长线状离子束流，适用于大面积基材的离子束清洗、刻蚀、薄膜沉积等工艺。 |
