晶振及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201010193493.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102270975B | 公开（公告）日 | 2013-10-09 |
| 申请公布号 | CN102270975B | 申请公布日 | 2013-10-09 |
| 分类号 | H03H9/02(2006.01)I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 毛剑宏 | 申请（专利权）人 | 镇江芯纳微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 上海丽恒光微电子科技有限公司;张家港丽恒光微电子科技有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种晶振及其制作方法，所述竞晶振包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的层间介质层，所述层间介质层内形成有激励板以及位于所述激励板两侧的正极插塞、负极插塞；位于正极插塞与负极插塞之间、激励板上方的下空腔；位于层间介质层表面，横跨所述下空腔，并与正极插塞、负极插塞连接的振动晶体，所述振动晶体与其两侧的正极插塞以及负极插塞连接，除此之外，其余两侧为自由端，不与周围物体相接触；位于层间介质层上的隔离层，所述隔离层与振动晶体之间具有间隙，构成上空腔；形成于所述隔离层表面的覆盖层。本发明所述晶振基于CMOS工艺制造，易于集成至半导体芯片中，满足器件微缩的需求。 |
