熔丝结构以及形成熔丝结构的方法
基本信息
| 申请号 | CN201010244197.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102347269B | 公开（公告）日 | 2014-03-12 |
| 申请公布号 | CN102347269B | 申请公布日 | 2014-03-12 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/525(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 毛剑宏 | 申请（专利权）人 | 镇江芯纳微电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 上海丽恒光微电子科技有限公司;西安宜升光电科技有限公司 |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 种熔丝结构以及形成熔丝结构的方法，该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有电路结构，在所述电路结构上形成有金属互连层；在所述金属互连层上形成熔丝以及熔丝与所述金属互连层的互连结构，所述熔丝的材料选自多晶锗硅、多晶锗、非晶硅、非晶锗或者非晶锗硅。由于多晶锗硅、多晶锗、非晶硅、非晶锗、非晶锗硅的电阻值高，在熔断多晶锗硅熔丝、多晶锗熔丝、非晶硅熔丝、非晶锗熔丝或者非晶锗硅熔丝时，所需熔断电流小，不易破坏相关的电路结构，该方法形成的熔丝结构堆叠在金属互连层上，不会占用芯片面积，因此节省芯片面积，降低制造成本；而且其形成工艺简单。 |
