MEMS器件及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN201010135707.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102198925B | 公开（公告）日 | 2015-03-04 |
| 申请公布号 | CN102198925B | 申请公布日 | 2015-03-04 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 毛剑宏;韩凤芹 | 申请（专利权）人 | 镇江芯纳微电子有限公司 |
| 代理机构 | 张家港市高松专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 张家港丽恒光微电子科技有限公司;上海丽恒光微电子科技有限公司;浙江珏芯微电子有限公司 |
| 地址 | 215613 江苏省苏州市张家港市凤凰镇双龙村 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种MEMS器件及其形成方法，其中MEMS器件包括：半导体衬底；形成在半导体衬底内的阱区；形成在阱区内的源极区、漏极区和沟道区；形成在源极区、漏极区表面的隔离层；形成在沟道区表面的栅介质层；形成在栅介质层上方并与栅介质层具有间隙的栅电极层，所述间隙宽度与沟道区对应。本发明提供MEMS器件的形成方法与传统半导体形成工艺兼容，不需要重新研发新型材料和新的制备工艺，制备的MEMS器件耐压性能高，栅电极漏电流低。 |
