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一种适用于MOSFET器件的仿真模型装置

基本信息

申请号	CN202110069292.4	申请日	-
公开（公告）号	CN112906327A	公开（公告）日	2021-06-04
申请公布号	CN112906327A	申请公布日	2021-06-04
分类号	G06F30/33	分类	计算；推算；计数;
发明人	刘海涛;吴鸣;张海;熊雄;孙丽敬;李蕊;徐旖旎;邵瑶	申请（专利权）人	国网山东省电力公司聊城供电公司
代理机构	北京工信联合知识产权代理有限公司	代理人	夏德政
地址	100192 北京市海淀区清河小营东路15号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种适用于MOSFET器件的仿真模型装置，属于电力电子与电力传动技术领域。本发明装置，包括：控制信号延时子电路，所述控制信号延时子电路接入控制信号及电流，并根据控制信号控制电流流入稳态子电路；稳态子电路，所述稳态子电路接入电流后，模拟MOSFET器件的开通及关断过程中漏源极电压及电流的变化，输出断态时漏源极电压及通态时漏源极电流；开通暂态子电路，所述开通态子电路以断态时漏源极电压作为控制对象，模拟MOSFET器件开通过程的漏源极电压；关断暂态子电路，所述关断暂态子电路以通态时漏源极电流作为控制对象，模拟MOSFET器件关断过程的漏源极电流。本发明体现了SICMOSFET稳态工作特性及开通瞬态特性与关断瞬态特性。