一种集成RC吸收结构的MOSFET器件及制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202111054711.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113659010A | 公开（公告）日 | 2021-11-16 |
| 申请公布号 | CN113659010A | 申请公布日 | 2021-11-16 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L23/552;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘秀梅;殷允超;刘锋;周祥瑞;费国芬 | 申请（专利权）人 | 捷捷微电（无锡）科技有限公司 |
| 代理机构 | 无锡科嘉知信专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 顾翰林 |
| 地址 | 214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园B-221 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种集成RC吸收结构的MOSFET器件及制作方法，包括若干个相互并联的器件元胞单元，器件元胞单元包括第一导电类型衬底及第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区内设有绝缘深沟槽，绝缘深沟槽内填充有沟槽绝缘介质，沟槽绝缘介质上设有源极导电多晶硅，源极导电多晶硅表面被绝缘介质包裹，绝缘介质上设有源极电阻，源极电阻被源极金属包裹，且与源极金属欧姆接触。本发明在器件的源极和漏极间设置RC吸收结构，使得MOS管在高频开关过程中，能抵抗高浪涌电流，同时能吸收器件开关过程中的电压震荡，提高电压震荡dVds/dt耐量，有效防止器件因电压震荡dVds/dt导致的失效，故可消除开关过程中的EMI问题。 |
