一种高性能SGTMOSFET器件
基本信息
| 申请号 | CN202122384160.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216597598U | 公开（公告）日 | 2022-05-24 |
| 申请公布号 | CN216597598U | 申请公布日 | 2022-05-24 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘锋;殷允超;费国芬 | 申请（专利权）人 | 捷捷微电（无锡）科技有限公司 |
| 代理机构 | 无锡科嘉知信专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 214000江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园B-221 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种高性能SGT MOSFET器件，其技术方案要点是：包括MOSFET器件体，所述MOSFET器件体虚拟分割成Cell区域和Ring区域，所述MOSFET器件体的底部设有N+衬底层，所述N+衬底层的上部设有epi1层，所述epi1层的上部设有epi2层，所述epi2层的顶部注入形成P型杂质B+层，所述P型杂质B+层的顶部设有介质淀积层，所述介质淀积层的顶部设有金属层，所述Cell区域和所述Ring区域分别开设有沟槽，所述沟槽的底部穿透所述epi1层处于所述epi2层的内部；本实用新型尽可能降低衬底反扩，从而获得更好的RSP，以60V器件为例，RSP达到13.8mohm.mm2，相比普通trench工艺RSP性能提升50％，实际流片数据显示RSP性能优于现有同类产品，分离栅特殊的结构又使开关性能提升50％以上。 |
