一种高可靠性MOSFET集成电路芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111206703.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113948577A | 公开（公告）日 | 2022-01-18 |
| 申请公布号 | CN113948577A | 申请公布日 | 2022-01-18 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘秀梅;刘锋;殷允超;周祥瑞 | 申请（专利权）人 | 捷捷微电（无锡）科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京神州信德知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 朱俊杰 |
| 地址 | 214000江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园B-221 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高可靠性MOSFET集成电路芯片及其制备方法，包括终端区域；在终端区域内设置至少一个第一类沟槽（11）和至少两个第二类沟槽（8）；所述第一类沟槽（11）内设有源极导电多晶硅（4）；所述第二类沟槽（8）内设有浮空多晶硅（12）；增加所述第一类沟槽（11）和所述第二类沟槽（8）数量以提高终端区域的耐压能力，并且逐渐增大与所述第二类沟槽（8）相邻的平台区的宽度。 |
