一种低内阻超薄型功率器件的封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202122373409.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216015357U | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 申请公布号 | CN216015357U | 申请公布日 | 2022-03-11 |
| 分类号 | H01L23/495（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李自政;周祥瑞;王佳佳 | 申请（专利权）人 | 捷捷微电（无锡）科技有限公司 |
| 代理机构 | 无锡科嘉知信专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 顾翰林 |
| 地址 | 214000江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园B-221 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种低内阻超薄型功率器件的封装结构，其技术方案要点是：低内阻超薄型功率器件的封装结构，包括散热片、半导体芯片、塑封体和装片基岛，所述半导体芯片正面的第一电极Source与第二导电金属片的一端焊接，所述半导体芯片正面的第二电极Gate与第一导电金属片的一端焊接，所述塑封体内封装有装片基岛正面、半导体芯片、第一导电金属片和第二导电金属片的焊接端，所述散热片和装片基岛背面裸露在塑封体外。本实用新型结构采用导电金属片作为引脚直接与半导体芯片的电极焊接，既能降低器件封装寄生电阻，增大器件过电流能力，又能增强器件的散热能力，降低封装热阻，提高了器件封装的可靠性。 |
