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一种沟槽MOSFET的新型结构

基本信息

申请号	CN202122407728.4	申请日	-
公开（公告）号	CN215988774U	公开（公告）日	2022-03-08
申请公布号	CN215988774U	申请公布日	2022-03-08
分类号	H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	刘锋;殷允超;刘秀梅;费国芬	申请（专利权）人	捷捷微电（无锡）科技有限公司
代理机构	无锡科嘉知信专利代理事务所（普通合伙）	代理人	顾翰林
地址	214000江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园B-221
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种沟槽MOSFET的新型结构，其技术方案要点是：包括MOSFET管件，所述MOSFET管件包括有底部SUB层，所述SUB层的上部设有epi1层，所述epi1层的上部设有epi2层，所述epi2层的上部设有body注入层，所述body注入层的上部设有淀积介质层，所述淀积介质层上设有淀积金属层，所述epi1层和所述epi2层内蚀刻有沟槽，所述沟槽的内壁热生长有栅氧，所述栅氧的内侧填充有多晶硅，所述淀积介质层内腐蚀有光刻孔，所述光刻孔内填充有N+层；本实用新型降低epi1层和衬底sub层的浓度差较小进而降低衬底反扩的程度，沟槽深度为2.8um，深入到epi1层内部，沟槽底部为厚氧化层，并且厚氧化层从底部厚度逐步过渡到纵向侧壁的薄氧化层。