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一种改善动态特性的屏蔽栅的MOSFET结构

基本信息

申请号	CN202122114420.0	申请日	-
公开（公告）号	CN216597597U	公开（公告）日	2022-05-24
申请公布号	CN216597597U	申请公布日	2022-05-24
分类号	H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	刘秀梅;刘锋;殷允超;周祥瑞;费国芬	申请（专利权）人	捷捷微电（无锡）科技有限公司
代理机构	无锡科嘉知信专利代理事务所（普通合伙）	代理人	-
地址	214000江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园B-221
法律状态	-

摘要

本实用新型涉及一种改善动态特性的屏蔽栅的MOSFET结构，包括半导体基板，半导体基板包括第一导电类型外延层及设置在其内部的沟槽，沟槽上部分包括栅极多晶硅以及栅氧化层，下部分包括屏蔽栅多晶硅及厚氧化层，在栅极多晶硅和屏蔽栅多晶硅间设有第一浮空多晶硅，第一浮空多晶硅通过氧化层分别与栅极多晶硅、屏蔽栅多晶硅间隔离，和/或在栅极多晶硅和源极金属间设有第二浮空多晶硅，第二浮空多晶硅通过氧化层与栅极多晶硅隔离，通过绝缘介质层与源极金属隔离，源极金属与屏蔽栅多晶硅欧姆接触；本实用新型通过在栅极和源极间设置浮空多晶硅，能屏蔽栅极与源极之间的寄生电容Cgs，降低输入电容Ciss，进而降低开关损耗，同时改善IGSS漏电过大的问题。