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一种提高防静电能力的MOSFET器件

基本信息

申请号	CN202120318432.2	申请日	-
公开（公告）号	CN214279985U	公开（公告）日	2021-09-24
申请公布号	CN214279985U	申请公布日	2021-09-24
分类号	H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	殷允超;刘锋;费国芬	申请（专利权）人	捷捷微电（无锡）科技有限公司
代理机构	无锡科嘉知信专利代理事务所（普通合伙）	代理人	顾翰林
地址	214000江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园B-221
法律状态	-

摘要

本实用新型涉及一种提高防静电能力的MOSFET器件，包括用于引出栅极的栅极金属和用于引出源极的源极金属，栅极金属和源极金属间设置有ESD保护结构，ESD保护结构包括多个ESD保护沟槽，多个ESD保护沟槽并列排布在栅极PAD区的四周，栅极串联有多个栅极电阻Rg，栅极电阻Rg包括栅电阻沟槽，且多个栅极电阻沟槽设置在有源区和终端保护区间；本实用新型在现有带ESD防护结构器件的基础上，在栅极串联了栅极电阻Rg，当栅极受到强静电冲击时，Rg电阻会使流向多晶硅二极管回路，有效保护了MOS的薄栅氧结构，使得原有常规二极管保护回路（PN结对）发挥更大的保护作用，从而提高了器件的抗ESD能力极限，提高了器件的可靠性。