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一种新型分离栅MOSFET器件

基本信息

申请号	CN202111148366.X	申请日	-
公开（公告）号	CN113782613A	公开（公告）日	2021-12-10
申请公布号	CN113782613A	申请公布日	2021-12-10
分类号	H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	刘锋;周祥瑞;殷允超	申请（专利权）人	捷捷微电（无锡）科技有限公司
代理机构	无锡科嘉知信专利代理事务所（普通合伙）	代理人	顾翰林
地址	214000江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园B-221
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种新型分离栅MOSFET器件，其技术方案要点是：包括MOSFET管，所述MOSFET管包括有底层的N+衬底，所述N+衬底的上层设有epi1层，所述epi1层的上层设有epi2层，所述epi1层和所述epi2层内通过刻蚀硅形成沟槽，所述沟槽中有源区内深度刚好穿透epi2层，所述沟槽中终端区内深度穿透epi2层的深度为0.5um，所述沟槽的内部分别淀积有第一多晶硅、第二多晶硅和第三多晶硅，所述epi2层的上层注入P型杂质B+。本发明采用新型分离栅结构，底部的epi1较浓，顶部的epi2较淡，有源区沟槽底部深入到epi1界面上，此处掺杂浓度比较浓，硅的雪崩临界电场随掺杂浓度增加而增加，有利于提升耐压,以40V器件为例，RSP达到6.5mohm.mm2。