一种新型分离栅MOSFET器件

基本信息

申请号 CN202111148366.X 申请日 -
公开(公告)号 CN113782613A 公开(公告)日 2021-12-10
申请公布号 CN113782613A 申请公布日 2021-12-10
分类号 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 刘锋;周祥瑞;殷允超 申请(专利权)人 捷捷微电(无锡)科技有限公司
代理机构 无锡科嘉知信专利代理事务所(普通合伙) 代理人 顾翰林
地址 214000江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园B-221
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种新型分离栅MOSFET器件,其技术方案要点是:包括MOSFET管,所述MOSFET管包括有底层的N+衬底,所述N+衬底的上层设有epi1层,所述epi1层的上层设有epi2层,所述epi1层和所述epi2层内通过刻蚀硅形成沟槽,所述沟槽中有源区内深度刚好穿透epi2层,所述沟槽中终端区内深度穿透epi2层的深度为0.5um,所述沟槽的内部分别淀积有第一多晶硅、第二多晶硅和第三多晶硅,所述epi2层的上层注入P型杂质B+。本发明采用新型分离栅结构,底部的epi1较浓,顶部的epi2较淡,有源区沟槽底部深入到epi1界面上,此处掺杂浓度比较浓,硅的雪崩临界电场随掺杂浓度增加而增加,有利于提升耐压,以40V器件为例,RSP达到6.5mohm.mm2。