一种超高压VDMOS集成电路芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111206527.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113809161A | 公开（公告）日 | 2022-06-24 |
| 申请公布号 | CN113809161A | 申请公布日 | 2022-06-24 |
| 分类号 | H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘秀梅;刘锋;殷允超;周祥瑞 | 申请（专利权）人 | 捷捷微电（无锡）科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京神州信德知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 朱俊杰 |
| 地址 | 214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园B-221 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种超高压VDMOS集成电路芯片及其制备方法，包括至少一个浮空场板（9）；所述浮空场板（9）具有至少三个端部。本发明通过优化终端保护区中浮空场板（9）的形貌，增长了浮空场板（9）的长度，来增强终端保护区电场密度，提升终端保护区耐压，进而提升整个VDMOS集成电路芯片的可靠性。 |
