一种超高压VDMOS集成电路芯片及其制备方法

基本信息

申请号 CN202111206527.6 申请日 -
公开(公告)号 CN113809161A 公开(公告)日 2022-06-24
申请公布号 CN113809161A 申请公布日 2022-06-24
分类号 H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 分类 基本电气元件;
发明人 刘秀梅;刘锋;殷允超;周祥瑞 申请(专利权)人 捷捷微电(无锡)科技有限公司
代理机构 北京神州信德知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 朱俊杰
地址 214000 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园B-221
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种超高压VDMOS集成电路芯片及其制备方法,包括至少一个浮空场板(9);所述浮空场板(9)具有至少三个端部。本发明通过优化终端保护区中浮空场板(9)的形貌,增长了浮空场板(9)的长度,来增强终端保护区电场密度,提升终端保护区耐压,进而提升整个VDMOS集成电路芯片的可靠性。