一种基于原子层沉积的非晶硅薄膜制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011637836.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114686844A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114686844A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | C23C16/24（2006.01）I;C23C16/44（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 连水养;许嘉巡;赵铭杰 | 申请（专利权）人 | 厦门理工学院 |
| 代理机构 | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 361024福建省厦门市集美区理工路600号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种基于原子层沉积的非晶硅薄膜制备方法，其方法包括：将带有H基或OH基的衬底放入反应腔体；向所述反应腔体内注入硅源气体，以使得所述硅源气体与所述衬底表面的H基或OH基进行反应，进而在所述衬底表面生成新的配基；向所述反应腔体内注入惰性气体，以吹扫出所述反应腔体内的杂质；向所述反应腔体内注入等离子气体，并重复以上步骤，以在所述衬底表面生成非晶硅薄膜。解决了现有的等离子体化学气相沉积制备出来的薄膜含有针孔的问题，且改善了在高深宽比或复杂表面上的薄膜阶梯覆盖性低的问题。 |
