具有过电压和反向电压保护功能的接口器件输出级电路及其实现方式

基本信息

申请号 CN200910053925.1 申请日 -
公开(公告)号 CN101826865A 公开(公告)日 2010-09-08
申请公布号 CN101826865A 申请公布日 2010-09-08
分类号 H03K19/0185(2006.01)I;H03K19/007(2006.01)I 分类 基本电子电路;
发明人 杨永华;葛利明 申请(专利权)人 上海英联电子科技有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区碧波路5号7层
法律状态 -

摘要

摘要 具有过电压和反向电压保护功能的接口器件输出级电路及其实现方式,采用背对背联接的P型MOSFET和N型MOSFET构成输出级电路,P型MOSFET和N型MOSFET的衬底连接采用浮动阱隔离。使得输出级电路能够承受高于电源电压的过电压输入和低于地电位的反向电压,而不会损伤电路本身。解决了发送器接口与总线上数据完全独立的难点及输出斜率控制问题,且结构简单,其限制仅受栅衬之间击穿电压影响。同时该电路仅需改变输出管尺寸,即可调整其驱动能力。