一种高带宽高隔离度低导通电阻CMOS模拟开关电路及其实现方式
基本信息
| 申请号 | CN200910053923.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101931387A | 公开（公告）日 | 2010-12-29 |
| 申请公布号 | CN101931387A | 申请公布日 | 2010-12-29 |
| 分类号 | H03K17/687(2006.01)I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 杨永华;陈碧;葛利明;吴蕾 | 申请（专利权）人 | 上海英联电子科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区碧波路5号科苑大楼7楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明为一种具有较宽带宽、高隔离度、低导通电阻的CMOS开关电路，用于多路高频模拟信号切换。其采用了浮动阱及栅极阻抗控制技术，解决了传统CMOS模拟开关电路导通电阻和传输带宽相互制约的问题，大大提高了同样导通电阻及隔离度下CMOS开关的信号传输带宽。 |
