一种金刚石-铜复合材料及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201611110689.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106854750B | 公开（公告）日 | 2020-01-14 |
| 申请公布号 | CN106854750B | 申请公布日 | 2020-01-14 |
| 分类号 | C23C14/18;C23C14/24;C23C28/02;B22F1/02;C22C26/00;C22C9/00;C22C1/04;C22C1/10 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 徐良;刘一波;徐强;杨志威;葛科;阎磊;曹彩婷 | 申请（专利权）人 | 北京安泰钢研超硬材料制品有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京五洲洋和知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 安泰科技股份有限公司;北京安泰钢研超硬材料制品有限责任公司 |
| 地址 | 102200 北京市昌平区创新路29号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于金属基复合材料研究领域，涉及一种金刚石‑铜复合材料及其制备方法，该方法首先在金刚石的表面镀覆Cr层，然后在所述镀Cr后的金刚石的表面镀覆Cu基体层，然后装入模具进行烧结处理，制得所述金刚石‑铜复合材料。主要采用真空微蒸发蒸镀的方法进行镀覆超薄Cr层来降低界面热阻，同时使用真空热压烧结工艺来获得致密度更高的复合材料，制得的金刚石‑铜复合材料具有良好的性能，热导率高于580W/m·K，致密度达到98.5％以上，可用于电子封装等领域。 |
