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一种高出光率深紫外LED

基本信息

申请号 CN202022285008.0 申请日 -
公开（公告）号 CN213782036U 公开（公告）日 2021-07-23
申请公布号 CN213782036U 申请公布日 2021-07-23
分类号 H01L33/48（2010.01）I;H01L33/60（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 王志涛 申请（专利权）人 扬州紫王优卫科技有限公司
代理机构 深圳紫晴专利代理事务所（普通合伙） 代理人 陈映辉
地址 225100江苏省扬州市高新技术产业开发区开发西路217号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种高出光率深紫外LED，包括基板、围坝、透光窗口和深紫外LED芯片，所述围坝设于基板上，所述围坝上开设有深紫外LED芯片放置腔，所述深紫外LED芯片倒装设于深紫外LED芯片放置腔内，所述深紫外LED芯片的背面为发光面，所述深紫外LED芯片的正面设于基板上，所述透光窗口覆盖设于围坝上，所述深紫外LED芯片放置腔内壁为抛光内壁，所述深紫外LED芯片放置腔内壁上镀设有紫外高反射介质膜。本实用新型涉及LED光源技术领域，具体是提供了一种通过光学抛光配合真空镀膜技术，将侧向发出的紫外线能量反射至正面，提高深紫外LED出光效率的高出光率深紫外LED。