一种等离子体处理装置及其上电极组件的调节方法

基本信息

申请号 CN202010967087.5 申请日 -
公开(公告)号 CN114188206A 公开(公告)日 2022-03-15
申请公布号 CN114188206A 申请公布日 2022-03-15
分类号 H01J37/32(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 杨金全;黄允文;吴狄;王明明 申请(专利权)人 中微半导体设备(上海)股份有限公司
代理机构 上海元好知识产权代理有限公司 代理人 徐雯琼;张妍
地址 201201上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种等离子体处理装置及其上电极组件的调节方法,该装置包含:真空反应腔,其由反应腔腔体和设有通孔的腔体端盖包围而成;下电极组件,与通孔中心对称;上电极组件,贯穿腔体端盖的通孔,上电极组件的边缘与通孔的侧壁之间设有间距;若干个加热组件,用于加热上电极组件,使上电极组件受热膨胀直至上电极组件边缘周向与通孔的侧壁接触;若干个支撑组件,用于实现上电极组件和腔体端盖的分离和固定,当加热组件处于加热状态时,上电极组件和腔体端盖可发生相互位移。其优点是:该装置将加热组件、支撑组件等相结合,利用热胀冷缩的原理,实现上电极组件的对中调节,不需要另外安装其他复杂的结构,结构简单,调节方便。