化学气相沉积装置及基片温度控制方法
基本信息
| 申请号 | CN202010979930.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114196944A | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN114196944A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | C23C16/46（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 姜勇;张昭 | 申请（专利权）人 | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海元好知识产权代理有限公司 | 代理人 | 周乃鑫;徐雯琼 |
| 地址 | 201201上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种化学气相沉积装置及基片温度控制方法，所述装置包括一反应腔，反应腔内设置通过旋转轴进行支撑的基片托盘，基片托盘位于进气喷头下方，基片托盘上设有若干个向下凹陷的基片承载区，用于放置基片，基片托盘中设置多个第一独立气道，每个第一独立气道联通到一个基片承载区，为基片的底面与基片承载区的上表面之间的凹坑空间通入成份独立可调的导热气体，导热气体包含一种或多种气体成份；基片托盘下方设置加热器，加热器围绕旋转轴设置，用于控制上方基片的温度，基片利用凹坑空间内的气体进行热传导以实现该基片的温度控制。本发明实现基片托盘上各个晶圆之间的加热温度一致性。 |
