一种静电装置、其所在的基片处理系统及其置换清洁方法

基本信息

申请号 CN202010960549.0 申请日 -
公开(公告)号 CN114188205A 公开(公告)日 2022-03-15
申请公布号 CN114188205A 申请公布日 2022-03-15
分类号 H01J37/32(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 吴狄;连增迪;陈煌琳;左涛涛;裴江涛 申请(专利权)人 中微半导体设备(上海)股份有限公司
代理机构 上海元好知识产权代理有限公司 代理人 张妍;周乃鑫
地址 201201上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种静电装置、其所在的基片处理系统及其置换清洁方法,所述基片处理系统包含等离子体处理装置、传输腔及静电装置,所述传输腔内有传输机械手,所述静电装置用于产生吸附静电以吸附所述等离子体处理装置中的真空反应腔中的边缘环,并通过所述传输机械手将所述边缘环移入或移出所述真空反应腔,实现在不打开所述真空反应腔的情况下置换所述边缘环。本发明结构简单,操作方便,极大地降低了基片处理系统的维护成本。