一种等离子体处理装置及其方法
基本信息
申请号 | CN202010987374.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114203506A | 公开(公告)日 | 2022-03-18 |
申请公布号 | CN114203506A | 申请公布日 | 2022-03-18 |
分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 赵馗;杜若昕;吴狄;倪图强 | 申请(专利权)人 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
代理机构 | 上海元好知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐雯琼;张妍 |
地址 | 201201上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种等离子体处理装置及其方法,该装置包含:真空反应腔,其内具有下电极组件和可移动上电极组件;若干个升降装置与可移动上电极组件连接以使其升降,升降装置包含支撑柱和驱动装置,驱动装置用于驱动支撑柱以使可移动上电极组件升降;若干个气体通道,分别由真空反应腔外部延伸经过真空反应腔底部、支撑柱内部、可移动上电极组件以将工艺气体注入真空反应腔内;若干个导电可伸缩密封结构,分别设置于支撑柱内且环绕气体通道的周围。其优点是:将升降装置、气体通道和密封结构相结合,真空反应腔顶部多次开关也不会影响可移动上电极组件,更容易保持所述可移动上电极组件和晶圆、下电极组件之间的同心度,保证了斜边刻蚀的工艺效果。 |
