一种等离子体处理装置及其方法

基本信息

申请号 CN202010987374.2 申请日 -
公开(公告)号 CN114203506A 公开(公告)日 2022-03-18
申请公布号 CN114203506A 申请公布日 2022-03-18
分类号 H01J37/32(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 赵馗;杜若昕;吴狄;倪图强 申请(专利权)人 中微半导体设备(上海)股份有限公司
代理机构 上海元好知识产权代理有限公司 代理人 徐雯琼;张妍
地址 201201上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种等离子体处理装置及其方法,该装置包含:真空反应腔,其内具有下电极组件和可移动上电极组件;若干个升降装置与可移动上电极组件连接以使其升降,升降装置包含支撑柱和驱动装置,驱动装置用于驱动支撑柱以使可移动上电极组件升降;若干个气体通道,分别由真空反应腔外部延伸经过真空反应腔底部、支撑柱内部、可移动上电极组件以将工艺气体注入真空反应腔内;若干个导电可伸缩密封结构,分别设置于支撑柱内且环绕气体通道的周围。其优点是:将升降装置、气体通道和密封结构相结合,真空反应腔顶部多次开关也不会影响可移动上电极组件,更容易保持所述可移动上电极组件和晶圆、下电极组件之间的同心度,保证了斜边刻蚀的工艺效果。