等离子体处理装置及其工作方法

基本信息

申请号 CN202010877431.1 申请日 -
公开(公告)号 CN114121582A 公开(公告)日 2022-03-01
申请公布号 CN114121582A 申请公布日 2022-03-01
分类号 H01J37/305(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 刘身健;连增迪;左涛涛 申请(专利权)人 中微半导体设备(上海)股份有限公司
代理机构 上海元好知识产权代理有限公司 代理人 周乃鑫;徐雯琼
地址 201201上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种等离子体处理装置,包括:反应腔;第一进气件,其内部具有第一凹槽,所述第一凹槽底端开设有若干第一通孔;第二进气件,安装于所述第一进气件上,所述第一凹槽与所述第二进气件之间形成有腔体,所述第二进气件的进气口用于接入反应气体,所述第二进气件的出气口用于流出反应气体,流出的反应气体流至所述腔体内,并经由第一通孔流至所述反应腔内;驱动装置,其可以根据实际需要利用所述驱动装置改变所述第一进气件与所述第二进气件之间的相对位置来改变待处理基片不同相位角上所述第一通孔中反应气体的流速。本发明可调整进入反应腔内待处理基片不同相位角上气体的流量,进而使待处理基片不同相位角上的刻蚀情况可调。