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一种垂直型磁电阻元件及其制造方法

基本信息

申请号 CN201611192685.X 申请日 -
公开（公告）号 CN108232003B 公开（公告）日 2021-09-03
申请公布号 CN108232003B 申请公布日 2021-09-03
分类号 H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 分类 基本电气元件;
发明人 夏文斌;郭一民;肖荣福;陈峻;麻榆阳 申请（专利权）人 上海磁宇信息科技有限公司
代理机构 上海容慧专利代理事务所（普通合伙） 代理人 于晓菁
地址 201800 上海市嘉定区城北路235号二号楼二层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种磁电阻元件，依次包括种子层、磁固定层、势垒层、磁记忆层和覆盖层。其中磁固定层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于层表面，磁固定层又细分为具有面心立方晶格结构的磁稳定层，晶格转化结合层和磁参考层。磁采用铁钴硼复合材料，且其磁激化方向可变并垂直于层表面。势垒层位于磁参考层和磁记忆层之间，是一种氧化膜。种子层材料具有帮助磁稳定层形成热稳定的面心立方晶格结构的功能。高温退火后磁参考层和磁记忆层中的铁钴硼从非晶态转变为体心立方的晶态结构。通过引入晶格转化结合层将具有面心立方晶格结构的磁稳定层与上面具有体心立方结构的铁钴硼参考层有机结合起来。本发明还提供了上述磁电阻元件的制备工艺。