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一种磁性随机存储器记忆单元及其制造方法

基本信息

申请号	CN201810054931.8	申请日	-
公开（公告）号	CN110061029B	公开（公告）日	2021-06-29
申请公布号	CN110061029B	申请公布日	2021-06-29
分类号	H01L27/22（2006.01）I;H01L21/84（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	肖荣福;郭一民;陈峻	申请（专利权）人	上海磁宇信息科技有限公司
代理机构	上海容慧专利代理事务所（普通合伙）	代理人	于晓菁
地址	201800上海市嘉定区城北路235号二号楼二层
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种磁性随机存储器记忆单元及其制造方法，磁性随机存储器记忆单元包括种子层、垂直磁参考层、隧道势垒层、磁记忆层、氧化物覆盖层、金属顶覆盖层、易氧化金属层、刻蚀阻挡层、硬掩模层。制造步骤如下：（1）沉积上述各膜层；（2）图形化磁性隧道结，刻蚀硬掩模层并停止在刻蚀阻挡层上；（3）将刻蚀后暴露出来的硬掩模层、金属顶覆盖层和易氧化金属层的周边全部氧化形成电绝缘体，将磁性隧道结的周围覆盖保护起来；（4）刻蚀磁记忆层、隧道势垒层和垂直磁参考层，直到种子层；（5）形成电介质保护层保护刻蚀后的磁性隧道结单元，并填充电介质填充层，用化学机械抛光方式将表面磨平；（6）最后在磨平的磁性隧道结单元上形成顶电极通孔层。