磁性隧道结结构及其磁性随机存储器
基本信息
| 申请号 | CN202010136585.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113346007A | 公开（公告）日 | 2021-09-03 |
| 申请公布号 | CN113346007A | 申请公布日 | 2021-09-03 |
| 分类号 | H01L43/08（2006.01）I;H01L43/10（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张云森;郭一民;肖荣福;陈峻 | 申请（专利权）人 | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海容慧专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 于晓菁 |
| 地址 | 201815上海市嘉定区工业区兴顺路558号2幢2层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种磁性隧道结结构及其磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构的反铁磁层的铁磁超晶格层与参考层结合，形成具有超薄反铁磁层和参考层双层结构，调节所述反铁磁层和所述参考层在垂直方向的饱和磁矩以调节其在所述自由层的漏磁场，其令磁性隧道结具有相对较佳的漏磁场写电流的调控能力，有利于磁性隧道结单元在磁学，电学和良率的提升以及器件的缩微化。 |
