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一种磁性隧道结垂直反铁磁层及随机存储器

基本信息

申请号	CN202010044560.2	申请日	-
公开（公告）号	CN113140670A	公开（公告）日	2021-07-20
申请公布号	CN113140670A	申请公布日	2021-07-20
分类号	H01L43/08（2006.01）I;H01L43/10（2006.01）I;H01L27/22（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	张云森;郭一民;陈峻;肖荣福	申请（专利权）人	上海磁宇信息科技有限公司
代理机构	上海容慧专利代理事务所（普通合伙）	代理人	于晓菁
地址	201815上海市嘉定区工业区兴顺路558号2幢2层
法律状态	-

摘要

本发明涉及磁性随机存储器技术领域，具体涉及一种磁性隧道结垂直反铁磁层及随机存储器，本发明的垂直反铁磁层设置于磁性随机存储器存储单元，在具有垂直反铁磁层的磁性隧道结结构中，由下至上依次设置垂直各向异性场增强层和垂直反铁磁层双层结构并堆叠在自由层的上方，所述垂直反铁磁层通过垂直各向异性增强乘实现和自由层的磁性耦合，增强自由层的热稳定性，本发明垂直反铁磁层（pAFM）通过垂直各向异性增强层（HK EL）实现和自由层（FL）的磁性耦合，从而增强了自由层（FL）的热稳定性，同时，由于垂直反铁磁层（pAFM）的引入，有利于漏磁场的调控，有利于磁性随机存储器（MRAM）器件，读/写，存储性能的提升，有利器件的缩微化。