磁性隧道结结构及其磁性随机存储器
基本信息
| 申请号 | CN202010135967.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113346006A | 公开（公告）日 | 2021-09-03 |
| 申请公布号 | CN113346006A | 申请公布日 | 2021-09-03 |
| 分类号 | H01L43/08（2006.01）I;H01L43/10（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张云森;郭一民;肖荣福;陈峻 | 申请（专利权）人 | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海容慧专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 于晓菁 |
| 地址 | 201815上海市嘉定区工业区兴顺路558号2幢2层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构的合成反铁磁层生成之前还形成有单层材料膜或多层材料膜的晶格促进层，其用以使所述合成反铁磁层生成时形成面心立方FCC（111）结构并具有垂直各向异性，实现合成反铁磁层到参考层之间的强铁磁耦合，有利于磁性隧道结单元在磁学，电学和良率的提升以及器件的缩微化。 |
