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磁性随机存储器的读电路

基本信息

申请号 CN201911397827.X 申请日 -
公开（公告）号 CN113129953A 公开（公告）日 2021-07-16
申请公布号 CN113129953A 申请公布日 2021-07-16
分类号 G11C11/16（2006.01）I 分类 信息存储;
发明人 何伟伟 申请（专利权）人 上海磁宇信息科技有限公司
代理机构 上海容慧专利代理事务所（普通合伙） 代理人 于晓菁
地址 201815上海市嘉定区工业区兴顺路558号2幢2层
法律状态 -

摘要

摘要 一种磁性随机存储器（MRAM）的读电路，读钳位电路由运算放大器及钳位晶体管所在回路构成，用于控制所述磁性存储单元电压钳位功能；基准电流产生电路由读通路负载管及两路电流源构成，读通路负载管经过钳位管与所述磁性存储单元电性连接；电流灵敏放大器用以将前述两路电流源的电流作为输入信号，完成电流值大小比较；以及锁存器接收电流灵敏放大器的比较结果转换成逻辑信号，从而完成所选中磁性存储单元组态信息的读取操作。完整读操作只需要两次读操作，不需要额外写操作，故增加了读可靠性；相对传统读电路，不需要参考单元作参照，节省芯片面积，降低了芯片制造成本。