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一种低导通电阻的中低压平面栅VDMOS器件

基本信息

申请号	CN201922471072.5	申请日	-
公开（公告）号	CN211529958U	公开（公告）日	2020-09-18
申请公布号	CN211529958U	申请公布日	2020-09-18
分类号	H01L29/78(2006.01)I	分类	-
发明人	许剑;钟传杰;刘桂芝	申请（专利权）人	无锡麟力科技有限公司
代理机构	无锡市汇诚永信专利代理事务所（普通合伙）	代理人	无锡麟力科技有限公司
地址	214192江苏省无锡市锡山经济技术开发区芙蓉中三路99号瑞云三座
法律状态	-

摘要

本实用新型涉及VDMOS器件技术领域，尤其涉及一种低导通电阻的中低压平面栅VDMOS器件及其制造工艺，该器件包括：包括N+型衬底、N‑型外延层、P型体区、栅极氧化层、多晶硅栅极、多晶硅栅注入窗口、低电阻区、N+有源区、P+有源区、介质层和源极金属。本新型所述的中低压平面栅VDMOS器件采用平面栅结构，在平面栅的多晶硅局部挖空作为注入窗口，能够在积累区和JFET区形成额外的低电阻区，并且在形成低电阻区域的同时仍保留JFET区域，从而使得器件不仅具备低导通电阻，而且耐压和抗冲击能力维持不变；同时由于平面栅的多晶硅面积减少，降低了寄生Cgd米勒电容的面积，又能达到降低器件开关损耗，提高开关频率的目的。