ESD防护晶体管
基本信息
| 申请号 | CN202121230709.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215183979U | 公开（公告）日 | 2021-12-14 |
| 申请公布号 | CN215183979U | 申请公布日 | 2021-12-14 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 顾大元;乔畅君;韩玲玲;孙可平 | 申请（专利权）人 | 深圳市中明科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京金智普华知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蓝晓玉 |
| 地址 | 518103广东省深圳市宝安区福永街道新田大道71-2号立新湖福宁高新产业园B栋7楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种ESD防护晶体管，所述ESD防护晶体管包括：衬底、形成于所述衬底上的掩埋介电层、形成于所述掩埋介电层上的表面半导体层；其中，所述表面半导体层中形成有开放数据链路接口晶体管。基于对ESD防护晶体管本身结构设计，增加晶体管本身的防护能力，从而对CMOS器件进行有效的ESD防护，避免因ESD造成CMOS器件的损坏、失效或性能降低的问题。 |
