一种Zn+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷、制备方法及其应用
基本信息
申请号 | CN202210482575.6 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114685157A | 公开(公告)日 | 2022-07-01 |
申请公布号 | CN114685157A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
分类号 | C04B35/46(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I | 分类 | 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕; |
发明人 | 徐东;蒋志;李永涛;李家茂;王梦凡;左如忠;李宇佳;赵丹;孙志鹏 | 申请(专利权)人 | 安徽工程大学 |
代理机构 | 合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙) | 代理人 | - |
地址 | 243032安徽省马鞍山市湖东路59号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及介电陶瓷制备技术领域,具体涉及一种Zn+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷、制备方法及其应用,采用闪烧法制备组成为(Zn1/3Ta2/3)0.05Ti0.95O2(ZTTO)的TiO2基巨介电陶瓷,利用XRD、SEM和XPS对Zn+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷的微观结构、电学性能、快速致密化理论和巨介常数来源进行了综合研究,在不同电场强度下,焦耳热和高加热速率实现样品快速致密,细化了材料的微观结构,优化了材料的介电性能,当电场为200V/cm时,获得了巨介电常数(ε′~1.32×104)和较低的介电损耗(tanδ~0.27),炉温降低了25%,烧结时间缩短了90%以上,巨介电常数可能源于电子钉扎缺陷偶极子极化和麦克斯韦‑瓦格纳弛豫型界面极化,这为TiO2基巨介电陶瓷的制备开辟了途径。 |
