一种高调制效率的铌酸锂薄膜电光调制器
基本信息
| 申请号 | CN201610911122.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107957631A | 公开（公告）日 | 2018-04-24 |
| 申请公布号 | CN107957631A | 申请公布日 | 2018-04-24 |
| 分类号 | G02F1/035 | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 李萍;史云玲 | 申请（专利权）人 | 武汉奇普微半导体有限公司 |
| 代理机构 | 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人 | 张义 |
| 地址 | 300000 天津市北辰区北辰经济技术开发区双辰中路5号(办公楼702-016室) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高调制效率的铌酸锂薄膜电光调制器，通过将铌酸锂电光调制器的电极制备成上下型结构，上层电极(信号极)分别位于光学波导上方，下层电极为地电极，因而上下型电极结构对光学波导可以起到100％的调制效率，远高于传统铌酸锂电光调制器的40％至50％的电光调制效率；此外，本申请采用具有单晶结构的、厚度为0.1μm至10μm的铌酸锂薄膜材料，可实现与传统铌酸锂电光调制器相比更短的电极间距。上述两方面因素可大幅降低铌酸锂电光调制器的半波电压。 |
