铌酸锂薄膜多功能集成光学器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201610907886.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107957630A | 公开（公告）日 | 2018-04-24 |
| 申请公布号 | CN107957630A | 申请公布日 | 2018-04-24 |
| 分类号 | G02F1/035 | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 李萍;史云玲 | 申请（专利权）人 | 武汉奇普微半导体有限公司 |
| 代理机构 | 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人 | 张义 |
| 地址 | 300000 天津市北辰区北辰经济技术开发区双辰中路5号(办公楼702-016室) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种铌酸锂薄膜多功能集成光学器件，包括：基底材料、下层电极、下缓冲层、铌酸锂薄膜、波导耦合器、Y分支波导、上缓冲层、波导耦合器吸收层电极和Y分支波导调制器电极。本发明所述铌酸锂薄膜多功能集成光学器件可实现3dB波导耦合器与Y波导调制器的单片集成，有利于该集成芯片的小型化，可实现光纤陀螺用集成光学器件集成度的提升、光纤陀螺仪体积的缩小以及光纤陀螺系统可靠性的提升。本申请还公开了一种制造上述铌酸锂薄膜多功能集成光学器件的制造方法。 |
