基于特氟龙材料缓冲层的新型宽带铌酸锂电光调制器
基本信息
| 申请号 | CN201610907785.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107957629A | 公开（公告）日 | 2018-04-24 |
| 申请公布号 | CN107957629A | 申请公布日 | 2018-04-24 |
| 分类号 | G02F1/035 | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 李萍;范宝泉 | 申请（专利权）人 | 武汉奇普微半导体有限公司 |
| 代理机构 | 天津市三利专利商标代理有限公司 | 代理人 | 张义 |
| 地址 | 300000 天津市北辰区北辰经济技术开发区双辰中路5号(办公楼702-016室) | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于特氟龙材料缓冲层的新型宽带铌酸锂电光调制器，自下而上依次包括：基底材料、光学波导、缓冲层、电极结构，所述缓冲层采用厚度为0.1um至5um的特氟龙材料，所述光学波导采用钛扩散光学波导或退火质子交换光学波导，波导扩散宽度为1至20μm，扩散深度为1至20μm。本申请利用特氟龙材料的低介电常数特性，使铌酸锂宽带电光调制器的工作带宽得以进一步提高，提升了器件性能指标，并克服了当前铌酸锂脊型波导电光调制器存在的二氧化硅缓冲层需进行平坦化处理的工艺难点，降低了铌酸锂宽带电光调制器的加工难度和成本，提升了产品合格率。 |
