一种多晶硅PECVD三层镀膜工艺制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201610408537.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106098838A | 公开（公告）日 | 2016-11-09 |
| 申请公布号 | CN106098838A | 申请公布日 | 2016-11-09 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘晓龙;刘成;吴肖;孙立国 | 申请（专利权）人 | 浙江昂成新能源有限公司 |
| 代理机构 | 杭州融方专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 沈相权 |
| 地址 | 311227 浙江省杭州市萧山区南阳街道阳城路5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种三层镀膜工艺，尤其涉及一种多晶硅PECVD三层镀膜工艺制备方法。按以下步骤进行：PECVD分析→PECVD作用→PECVD膜的特点→PECVD三层镀膜工艺制备方法→PECVD三层膜优势。一种多步扩散实现高效太阳能电池制备方法提高产品质量，进一步提升操作效率。 |
