反熔丝单元及反熔丝单次可编程存储器

基本信息

申请号 CN202010779198.3 申请日 -
公开(公告)号 CN114068560A 公开(公告)日 2022-02-18
申请公布号 CN114068560A 申请公布日 2022-02-18
分类号 H01L27/112(2006.01)I;G11C17/16(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 黄泽;赵立新;张羊 申请(专利权)人 格科微电子(上海)有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 201203上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种反熔丝单元及反熔丝单次可编程存储器,所述反熔丝单元包括:有源区、位于所述有源区外围的隔离区以及覆盖所述有源区的栅极;所述反熔丝单元的栅极与所述有源区形成重合区域;其中,所述隔离区与所述重合区域的接触边界存在角。本发明通过反熔丝栅极与有源区形成重合区域,并将重合区域与隔离区接触边界形成角,减少器件面积,提高器件集成度。