多位半导体存储单元、存储阵列及其操作方法
基本信息
| 申请号 | CN202010861590.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114121071A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN114121071A | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | G11C11/36（2006.01）I;G11C11/40（2006.01）I;H01L27/11521（2017.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 赵立新;李杰;张浩然 | 申请（专利权）人 | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种多位半导体存储单元、存储阵列及其操作方法，其中，所述多位半导体存储单元，包括：钉扎二极管、控制晶体管和浮置扩散区，利用所述钉扎二极管进行电荷的存储；其中，所述钉扎二极管由：光电二极管的N阱区和P型表面掺杂区组成，或由光电二极管的P阱区和N型表面掺杂区组成。本发明中采用光电二极管的N阱区或光电二极管的P阱区作为存储电荷单元。在本发明所提供的技术多位半导体存储单元中，存储单元可存储的电荷量由掺杂剂量决定，因此存储量可控。 |
